Elektronica componenten

Infineon levert SiC aan Fox ESS: 70% minder schakelverliezen

Samenwerking verhoogt efficiëntie residentiële energieopslag

Image_20260827105504_1040_706.jpg

Infineon Technologies levert siliciumcarbide (SiC)-vermogenshalfgeleiders aan Fox ESS om de efficiëntie van residentiële energieopslagsystemen te verhogen. Door de integratie van Infineons CoolSiC MOSFETs 1200 V G2 in Q-DPAK-behuizing vermindert Fox ESS de schakelverliezen met 70%. Het PQ3-Ultra-energieopslagsysteem haalt daarmee een piek-PV-omvormerefficiëntie tot 98,78% bij netgekoppeld bedrijf en een piek laad-/ontlaadefficiëntie van de batterij tot 98,47%.

31 augustus 2026

Hogere efficiëntie

“Met onze SiC MOSFETs in Q-DPAK-behuizing maken we een nieuw niveau van efficiëntie, thermische prestaties en ontwerpflexibiliteit mogelijk voor residentiële energieopslagsystemen,” zegt Amit Raut, Application Manager Photovoltaic and Residential ESS bij Infineon. “Fox ESS laat zien hoe geavanceerde SiC-technologie kan leiden tot aantoonbare verbeteringen op systeemniveau en zo kan bijdragen aan een bredere toepassing van duurzame energieoplossingen in woningen wereldwijd.”

“De samenwerking met Infineon vormt een belangrijke pijler binnen onze strategie om hoogwaardige energieopslagsystemen te leveren,” aldus Daniel Deng, R&D Director bij Fox ESS. “Infineons CoolSiC-technologie biedt superieure efficiëntie en hoge betrouwbaarheid, waarden die perfect aansluiten bij onze visie. Samen versnellen we de prestaties en adoptie van residentiële energieopslag.”

Recordrendement en SPI-score

In een recente test door HTW Berlin en AQUU Research behaalde de hybride oplossing van Fox ESS — bestaande uit de PQ-H3-Ultra-10.0-omvormer en de EQ3300-5-batterij — een System Performance Index (SPI) van 97,0%. Daarmee staat Fox ESS in 2026 op de eerste plaats in de 10 kW-categorie onder alle geteste hybride omvormer- en opslagsystemen, en noteert het de hoogste SPI-score sinds de start van de evaluaties in 2018.

Technologie en ontwerpvoordelen

De CoolSiC MOSFETs 1200 V G2 in de aan de bovenzijde gekoelde Q-DPAK-behuizing leveren geoptimaliseerde thermische prestaties, systeemefficiëntie en vermogensdichtheid. De geavanceerde .XT-interconnectietechnologie verlaagt de thermische weerstand en de werkelijke junctietemperatuur, terwijl de trench-gate-architectuur de schakelverliezen verder reduceert. In vergelijking met onderzijde-gekoelde ontwerpen biedt Q-DPAK voordelen voor het PCB-ontwerp, met minder parasitaire effecten en strooi-inductantie en een superieur thermisch beheer. Het compacte formaat ondersteunt ruimtebesparende systemen en de compatibiliteit met geautomatiseerde assemblage maakt schaalbare, kostenefficiënte productie mogelijk.

Marktimpact en uitrol

In de voorbije drie jaar installeerde Fox ESS wereldwijd meer dan 890.000 PV-omvormers en ruim 1 miljoen batterijen in meer dan 70 landen. De samenwerking met Infineon onderstreept de gedeelde ambitie om wereldwijd efficiënte en betrouwbare energieoplossingen voor woningen te versnellen.

Proef ons gratis!Word één maand gratis premium partner en ontdek alle unieke voordelen die wij u te bieden hebben.
  • wekelijkse newsletter met nieuws uit uw vakbranche
  • digitale toegang tot 35 vakbladen en financiële sectoroverzichten
  • uw bedrijfsnieuws op een selectie van vakwebsites
  • maximale zichtbaarheid voor uw bedrijf
Heeft u al een abonnement? 

Wat heb je nodig

Deel je (nieuws)verhaal

Heb je nieuws dat relevant is voor onze redactie? Deel het met ons via het meldformulier.

Nieuws melden
Print Magazine

Recente Editie
04 mei 2026

Nu lezen

Ontdek de nieuwste editie van ons magazine, boordevol inspirerende artikelen, diepgaande inzichten en prachtige visuals. Laat je meenemen op een reis door de meest actuele onderwerpen en verhalen die je niet wilt missen.

In dit magazine